Will Semiconductor Japan合同会社が仙台市に電源用半導体デバイスの設計開発拠点の開設を決定！！
半導体製品の設計開発を行っているWill Semiconductor Japan合同会社が、電源用半導体デバイスの設計開発や製品テスト設計を行うための開発拠点を、仙台市に開設することになりました。
開設に先立ち、同社の代表者である薄井氏とパワーマネジメントデバイス開発ディレクターの深澤氏が11月25日に市役所を訪れ、市長に対して立地表明書を提出し、進出概要などを説明しました。
開発拠点となる仙台研究開発センターは、令和３年１月に市内のオフィスビルに開設される予定です。
●出席者
・Will Semiconductor Japan合同会社
代表者 職務執行者 薄井 明英氏
パワーマネジメントデバイス開発ディレクター 深澤 秀貴氏
・仙台市
市長 郡 和子
開設に先立ち、同社の代表者である薄井氏とパワーマネジメントデバイス開発ディレクターの深澤氏が11月25日に市役所を訪れ、市長に対して立地表明書を提出し、進出概要などを説明しました。
開発拠点となる仙台研究開発センターは、令和３年１月に市内のオフィスビルに開設される予定です。
●出席者
・Will Semiconductor Japan合同会社
代表者 職務執行者 薄井 明英氏
パワーマネジメントデバイス開発ディレクター 深澤 秀貴氏
・仙台市
市長 郡 和子
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